Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Číslo dílu
IXTK200N10P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
800W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6724 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK200N10P
IXTK200N10P Elektronické komponenty
IXTK200N10P Odbyt
IXTK200N10P Dodavatel
IXTK200N10P Distributor
IXTK200N10P Datová tabulka
IXTK200N10P Fotky
IXTK200N10P Cena
IXTK200N10P Nabídka
IXTK200N10P Nejnižší cena
IXTK200N10P Vyhledávání
IXTK200N10P Nákup
IXTK200N10P Chip