Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
Číslo dílu
IXTK22N100L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7050pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20862 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK22N100L
IXTK22N100L Elektronické komponenty
IXTK22N100L Odbyt
IXTK22N100L Dodavatel
IXTK22N100L Distributor
IXTK22N100L Datová tabulka
IXTK22N100L Fotky
IXTK22N100L Cena
IXTK22N100L Nabídka
IXTK22N100L Nejnižší cena
IXTK22N100L Vyhledávání
IXTK22N100L Nákup
IXTK22N100L Chip