Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Číslo dílu
APT1001R1BN
Výrobce/značka
Série
POWER MOS IV®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD
Ztráta energie (max.)
310W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37761 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT1001R1BN
APT1001R1BN Elektronické komponenty
APT1001R1BN Odbyt
APT1001R1BN Dodavatel
APT1001R1BN Distributor
APT1001R1BN Datová tabulka
APT1001R1BN Fotky
APT1001R1BN Cena
APT1001R1BN Nabídka
APT1001R1BN Nejnižší cena
APT1001R1BN Vyhledávání
APT1001R1BN Nákup
APT1001R1BN Chip