Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT1002RBNG
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
Číslo dílu
APT1002RBNG
Výrobce/značka
Série
POWER MOS IV®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD
Ztráta energie (max.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16625 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT1002RBNG
APT1002RBNG Elektronické komponenty
APT1002RBNG Odbyt
APT1002RBNG Dodavatel
APT1002RBNG Distributor
APT1002RBNG Datová tabulka
APT1002RBNG Fotky
APT1002RBNG Cena
APT1002RBNG Nabídka
APT1002RBNG Nejnižší cena
APT1002RBNG Vyhledávání
APT1002RBNG Nákup
APT1002RBNG Chip