Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT1001RBN
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Číslo dílu
APT1001RBN
Výrobce/značka
Série
POWER MOS IV®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD
Ztráta energie (max.)
310W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50396 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT1001RBN
APT1001RBN Elektronické komponenty
APT1001RBN Odbyt
APT1001RBN Dodavatel
APT1001RBN Distributor
APT1001RBN Datová tabulka
APT1001RBN Fotky
APT1001RBN Cena
APT1001RBN Nabídka
APT1001RBN Nejnižší cena
APT1001RBN Vyhledávání
APT1001RBN Nákup
APT1001RBN Chip