Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT10M07JVR

APT10M07JVR

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Číslo dílu
APT10M07JVR
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1050nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37776 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova APT10M07JVR
APT10M07JVR Elektronické komponenty
APT10M07JVR Odbyt
APT10M07JVR Dodavatel
APT10M07JVR Distributor
APT10M07JVR Datová tabulka
APT10M07JVR Fotky
APT10M07JVR Cena
APT10M07JVR Nabídka
APT10M07JVR Nejnižší cena
APT10M07JVR Vyhledávání
APT10M07JVR Nákup
APT10M07JVR Chip