Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Číslo dílu
FQD10N20CTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18717 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD10N20CTF
FQD10N20CTF Elektronické komponenty
FQD10N20CTF Odbyt
FQD10N20CTF Dodavatel
FQD10N20CTF Distributor
FQD10N20CTF Datová tabulka
FQD10N20CTF Fotky
FQD10N20CTF Cena
FQD10N20CTF Nabídka
FQD10N20CTF Nejnižší cena
FQD10N20CTF Vyhledávání
FQD10N20CTF Nákup
FQD10N20CTF Chip