Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Číslo dílu
FQD10N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13011 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD10N20LTM
FQD10N20LTM Elektronické komponenty
FQD10N20LTM Odbyt
FQD10N20LTM Dodavatel
FQD10N20LTM Distributor
FQD10N20LTM Datová tabulka
FQD10N20LTM Fotky
FQD10N20LTM Cena
FQD10N20LTM Nabídka
FQD10N20LTM Nejnižší cena
FQD10N20LTM Vyhledávání
FQD10N20LTM Nákup
FQD10N20LTM Chip