Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Číslo dílu
FQD10N20CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52876 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD10N20CTM
FQD10N20CTM Elektronické komponenty
FQD10N20CTM Odbyt
FQD10N20CTM Dodavatel
FQD10N20CTM Distributor
FQD10N20CTM Datová tabulka
FQD10N20CTM Fotky
FQD10N20CTM Cena
FQD10N20CTM Nabídka
FQD10N20CTM Nejnižší cena
FQD10N20CTM Vyhledávání
FQD10N20CTM Nákup
FQD10N20CTM Chip