Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Číslo dílu
FQD12N20TM_F080
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32877 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD12N20TM_F080
FQD12N20TM_F080 Elektronické komponenty
FQD12N20TM_F080 Odbyt
FQD12N20TM_F080 Dodavatel
FQD12N20TM_F080 Distributor
FQD12N20TM_F080 Datová tabulka
FQD12N20TM_F080 Fotky
FQD12N20TM_F080 Cena
FQD12N20TM_F080 Nabídka
FQD12N20TM_F080 Nejnižší cena
FQD12N20TM_F080 Vyhledávání
FQD12N20TM_F080 Nákup
FQD12N20TM_F080 Chip