Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Číslo dílu
FQD7N10LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7N10LTF
FQD7N10LTF Elektronické komponenty
FQD7N10LTF Odbyt
FQD7N10LTF Dodavatel
FQD7N10LTF Distributor
FQD7N10LTF Datová tabulka
FQD7N10LTF Fotky
FQD7N10LTF Cena
FQD7N10LTF Nabídka
FQD7N10LTF Nejnižší cena
FQD7N10LTF Vyhledávání
FQD7N10LTF Nákup
FQD7N10LTF Chip