FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Číslo dílu
FQD7N10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35175 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7N10TM
FQD7N10TM Elektronické komponenty
FQD7N10TM Odbyt
FQD7N10TM Dodavatel
FQD7N10TM Distributor
FQD7N10TM Datová tabulka
FQD7N10TM Fotky
FQD7N10TM Cena
FQD7N10TM Nabídka
FQD7N10TM Nejnižší cena
FQD7N10TM Vyhledávání
FQD7N10TM Nákup
FQD7N10TM Chip