Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Číslo dílu
FQD7N10LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11575 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7N10LTM
FQD7N10LTM Elektronické komponenty
FQD7N10LTM Odbyt
FQD7N10LTM Dodavatel
FQD7N10LTM Distributor
FQD7N10LTM Datová tabulka
FQD7N10LTM Fotky
FQD7N10LTM Cena
FQD7N10LTM Nabídka
FQD7N10LTM Nejnižší cena
FQD7N10LTM Vyhledávání
FQD7N10LTM Nákup
FQD7N10LTM Chip