Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630BTSTU_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Číslo dílu
IRF630BTSTU_FP001
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Cropped Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14774 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630BTSTU_FP001
IRF630BTSTU_FP001 Elektronické komponenty
IRF630BTSTU_FP001 Odbyt
IRF630BTSTU_FP001 Dodavatel
IRF630BTSTU_FP001 Distributor
IRF630BTSTU_FP001 Datová tabulka
IRF630BTSTU_FP001 Fotky
IRF630BTSTU_FP001 Cena
IRF630BTSTU_FP001 Nabídka
IRF630BTSTU_FP001 Nejnižší cena
IRF630BTSTU_FP001 Vyhledávání
IRF630BTSTU_FP001 Nákup
IRF630BTSTU_FP001 Chip