Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTDV18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Číslo dílu
NTDV18N06LT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48664 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTDV18N06LT4G
NTDV18N06LT4G Elektronické komponenty
NTDV18N06LT4G Odbyt
NTDV18N06LT4G Dodavatel
NTDV18N06LT4G Distributor
NTDV18N06LT4G Datová tabulka
NTDV18N06LT4G Fotky
NTDV18N06LT4G Cena
NTDV18N06LT4G Nabídka
NTDV18N06LT4G Nejnižší cena
NTDV18N06LT4G Vyhledávání
NTDV18N06LT4G Nákup
NTDV18N06LT4G Chip