Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTDV20N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Číslo dílu
NTDV20N06LT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.36W (Ta), 60W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
990pF @ 25V
VGS (max.)
±15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28122 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTDV20N06LT4G
NTDV20N06LT4G Elektronické komponenty
NTDV20N06LT4G Odbyt
NTDV20N06LT4G Dodavatel
NTDV20N06LT4G Distributor
NTDV20N06LT4G Datová tabulka
NTDV20N06LT4G Fotky
NTDV20N06LT4G Cena
NTDV20N06LT4G Nabídka
NTDV20N06LT4G Nejnižší cena
NTDV20N06LT4G Vyhledávání
NTDV20N06LT4G Nákup
NTDV20N06LT4G Chip