Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTDV20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Číslo dílu
NTDV20N06T4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.88W (Ta), 60W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1015pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G Elektronické komponenty
NTDV20N06T4G Odbyt
NTDV20N06T4G Dodavatel
NTDV20N06T4G Distributor
NTDV20N06T4G Datová tabulka
NTDV20N06T4G Fotky
NTDV20N06T4G Cena
NTDV20N06T4G Nabídka
NTDV20N06T4G Nejnižší cena
NTDV20N06T4G Vyhledávání
NTDV20N06T4G Nákup
NTDV20N06T4G Chip