Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTDV5804NT4G
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
Číslo dílu
NTDV5804NT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2850pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21596 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTDV5804NT4G
NTDV5804NT4G Elektronické komponenty
NTDV5804NT4G Odbyt
NTDV5804NT4G Dodavatel
NTDV5804NT4G Distributor
NTDV5804NT4G Datová tabulka
NTDV5804NT4G Fotky
NTDV5804NT4G Cena
NTDV5804NT4G Nabídka
NTDV5804NT4G Nejnižší cena
NTDV5804NT4G Vyhledávání
NTDV5804NT4G Nákup
NTDV5804NT4G Chip