Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Číslo dílu
STB11NM80T4
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52063 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB11NM80T4
STB11NM80T4 Elektronické komponenty
STB11NM80T4 Odbyt
STB11NM80T4 Dodavatel
STB11NM80T4 Distributor
STB11NM80T4 Datová tabulka
STB11NM80T4 Fotky
STB11NM80T4 Cena
STB11NM80T4 Nabídka
STB11NM80T4 Nejnižší cena
STB11NM80T4 Vyhledávání
STB11NM80T4 Nákup
STB11NM80T4 Chip