Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF610PBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Číslo dílu
IRF610PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33378 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF610PBF
IRF610PBF Elektronické komponenty
IRF610PBF Odbyt
IRF610PBF Dodavatel
IRF610PBF Distributor
IRF610PBF Datová tabulka
IRF610PBF Fotky
IRF610PBF Cena
IRF610PBF Nabídka
IRF610PBF Nejnižší cena
IRF610PBF Vyhledávání
IRF610PBF Nákup
IRF610PBF Chip