Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF610SPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF610SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47302 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF610SPBF
IRF610SPBF Elektronické komponenty
IRF610SPBF Odbyt
IRF610SPBF Dodavatel
IRF610SPBF Distributor
IRF610SPBF Datová tabulka
IRF610SPBF Fotky
IRF610SPBF Cena
IRF610SPBF Nabídka
IRF610SPBF Nejnižší cena
IRF610SPBF Vyhledávání
IRF610SPBF Nákup
IRF610SPBF Chip