Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF610STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF610STRLPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49032 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF610STRLPBF
IRF610STRLPBF Elektronické komponenty
IRF610STRLPBF Odbyt
IRF610STRLPBF Dodavatel
IRF610STRLPBF Distributor
IRF610STRLPBF Datová tabulka
IRF610STRLPBF Fotky
IRF610STRLPBF Cena
IRF610STRLPBF Nabídka
IRF610STRLPBF Nejnižší cena
IRF610STRLPBF Vyhledávání
IRF610STRLPBF Nákup
IRF610STRLPBF Chip