Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF610STRRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17839 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF610STRRPBF
IRF610STRRPBF Elektronické komponenty
IRF610STRRPBF Odbyt
IRF610STRRPBF Dodavatel
IRF610STRRPBF Distributor
IRF610STRRPBF Datová tabulka
IRF610STRRPBF Fotky
IRF610STRRPBF Cena
IRF610STRRPBF Nabídka
IRF610STRRPBF Nejnižší cena
IRF610STRRPBF Vyhledávání
IRF610STRRPBF Nákup
IRF610STRRPBF Chip