Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Číslo dílu
IRF630PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630PBF
IRF630PBF Elektronické komponenty
IRF630PBF Odbyt
IRF630PBF Dodavatel
IRF630PBF Distributor
IRF630PBF Datová tabulka
IRF630PBF Fotky
IRF630PBF Cena
IRF630PBF Nabídka
IRF630PBF Nejnižší cena
IRF630PBF Vyhledávání
IRF630PBF Nákup
IRF630PBF Chip