Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630STRRPBF

IRF630STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Číslo dílu
IRF630STRRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51374 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF630STRRPBF
IRF630STRRPBF Elektronické komponenty
IRF630STRRPBF Odbyt
IRF630STRRPBF Dodavatel
IRF630STRRPBF Distributor
IRF630STRRPBF Datová tabulka
IRF630STRRPBF Fotky
IRF630STRRPBF Cena
IRF630STRRPBF Nabídka
IRF630STRRPBF Nejnižší cena
IRF630STRRPBF Vyhledávání
IRF630STRRPBF Nákup
IRF630STRRPBF Chip