Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640LPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Číslo dílu
IRF640LPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262-3
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640LPBF
IRF640LPBF Elektronické komponenty
IRF640LPBF Odbyt
IRF640LPBF Dodavatel
IRF640LPBF Distributor
IRF640LPBF Datová tabulka
IRF640LPBF Fotky
IRF640LPBF Cena
IRF640LPBF Nabídka
IRF640LPBF Nejnižší cena
IRF640LPBF Vyhledávání
IRF640LPBF Nákup
IRF640LPBF Chip