Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRF640STRLPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7523 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640STRLPBF
IRF640STRLPBF Elektronické komponenty
IRF640STRLPBF Odbyt
IRF640STRLPBF Dodavatel
IRF640STRLPBF Distributor
IRF640STRLPBF Datová tabulka
IRF640STRLPBF Fotky
IRF640STRLPBF Cena
IRF640STRLPBF Nabídka
IRF640STRLPBF Nejnižší cena
IRF640STRLPBF Vyhledávání
IRF640STRLPBF Nákup
IRF640STRLPBF Chip