IRF640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRF640STRRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42579 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640STRRPBF
IRF640STRRPBF Elektronické komponenty
IRF640STRRPBF Odbyt
IRF640STRRPBF Dodavatel
IRF640STRRPBF Distributor
IRF640STRRPBF Datová tabulka
IRF640STRRPBF Fotky
IRF640STRRPBF Cena
IRF640STRRPBF Nabídka
IRF640STRRPBF Nejnižší cena
IRF640STRRPBF Vyhledávání
IRF640STRRPBF Nákup
IRF640STRRPBF Chip