Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL640S
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRL640S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL640S
IRL640S Elektronické komponenty
IRL640S Odbyt
IRL640S Dodavatel
IRL640S Distributor
IRL640S Datová tabulka
IRL640S Fotky
IRL640S Cena
IRL640S Nabídka
IRL640S Nejnižší cena
IRL640S Vyhledávání
IRL640S Nákup
IRL640S Chip