Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRL640STRRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53337 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL640STRRPBF
IRL640STRRPBF Elektronické komponenty
IRL640STRRPBF Odbyt
IRL640STRRPBF Dodavatel
IRL640STRRPBF Distributor
IRL640STRRPBF Datová tabulka
IRL640STRRPBF Fotky
IRL640STRRPBF Cena
IRL640STRRPBF Nabídka
IRL640STRRPBF Nejnižší cena
IRL640STRRPBF Vyhledávání
IRL640STRRPBF Nákup
IRL640STRRPBF Chip