Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRA120ET3G
20V 1A 530mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Číslo dílu
MBRA120ET3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA (DO-214AC)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.