onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRA120ET3G 20V 1A 530mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBRA120ET3G

20V 1A 530mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Číslo dílu
MBRA120ET3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA (DO-214AC)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65124 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRA120ET3G
MBRA120ET3G Elektronické komponenty
MBRA120ET3G Odbyt
MBRA120ET3G Dodavatel
MBRA120ET3G Distributor
MBRA120ET3G Datová tabulka
MBRA120ET3G Fotky
MBRA120ET3G Cena
MBRA120ET3G Nabídka
MBRA120ET3G Nejnižší cena
MBRA120ET3G Vyhledávání
MBRA120ET3G Nákup
MBRA120ET3G Chip