onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRA210LT3G 10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V

MBRA210LT3G

10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V
Číslo dílu
MBRA210LT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA (DO-214AC)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a metal-silicon power diode is used. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. Suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60823 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRA210LT3G
MBRA210LT3G Elektronické komponenty
MBRA210LT3G Odbyt
MBRA210LT3G Dodavatel
MBRA210LT3G Distributor
MBRA210LT3G Datová tabulka
MBRA210LT3G Fotky
MBRA210LT3G Cena
MBRA210LT3G Nabídka
MBRA210LT3G Nejnižší cena
MBRA210LT3G Vyhledávání
MBRA210LT3G Nákup
MBRA210LT3G Chip