Koupit onsemi (Ansemi) MBRA1H100T3G 100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

MBRA1H100T3G

100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

Číslo dílu

MBRA1H100T3G

Kategorie

diode > Schottky diode

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SMA

Balení

taping

Počet balíků

5000

Popis

The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 52087 PCS

Kontaktní informace