onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRA130LT3G 30V 1A 410mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V

MBRA130LT3G

30V 1A 410mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V
Číslo dílu
MBRA130LT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA (DO-214AC)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. The Schottky diode has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60236 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRA130LT3G
MBRA130LT3G Elektronické komponenty
MBRA130LT3G Odbyt
MBRA130LT3G Dodavatel
MBRA130LT3G Distributor
MBRA130LT3G Datová tabulka
MBRA130LT3G Fotky
MBRA130LT3G Cena
MBRA130LT3G Nabídka
MBRA130LT3G Nejnižší cena
MBRA130LT3G Vyhledávání
MBRA130LT3G Nákup
MBRA130LT3G Chip