Koupit onsemi (Ansemi) MBRAF3200T3G 200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

MBRAF3200T3G

200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode

Číslo dílu

MBRAF3200T3G

Kategorie

diode > Schottky diode

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SMA-FL

Balení

taping

Počet balíků

5000

Popis

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 68933 PCS

Kontaktní informace