Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Číslo dílu
IRF100B201
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
441W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16023 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF100B201
IRF100B201 Elektronické komponenty
IRF100B201 Odbyt
IRF100B201 Dodavatel
IRF100B201 Distributor
IRF100B201 Datová tabulka
IRF100B201 Fotky
IRF100B201 Cena
IRF100B201 Nabídka
IRF100B201 Nejnižší cena
IRF100B201 Vyhledávání
IRF100B201 Nákup
IRF100B201 Chip