Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF100P219XKMA1
TRENCH_MOSFETS
Číslo dílu
IRF100P219XKMA1
Výrobce/značka
Série
StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
341W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12020pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21144 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF100P219XKMA1
IRF100P219XKMA1 Elektronické komponenty
IRF100P219XKMA1 Odbyt
IRF100P219XKMA1 Dodavatel
IRF100P219XKMA1 Distributor
IRF100P219XKMA1 Datová tabulka
IRF100P219XKMA1 Fotky
IRF100P219XKMA1 Cena
IRF100P219XKMA1 Nabídka
IRF100P219XKMA1 Nejnižší cena
IRF100P219XKMA1 Vyhledávání
IRF100P219XKMA1 Nákup
IRF100P219XKMA1 Chip