IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Číslo dílu
IRF100S201
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
441W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22459 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF100S201
IRF100S201 Elektronické komponenty
IRF100S201 Odbyt
IRF100S201 Dodavatel
IRF100S201 Distributor
IRF100S201 Datová tabulka
IRF100S201 Fotky
IRF100S201 Cena
IRF100S201 Nabídka
IRF100S201 Nejnižší cena
IRF100S201 Vyhledávání
IRF100S201 Nákup
IRF100S201 Chip