Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Číslo dílu
IRF100B202
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
221W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4476pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26203 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF100B202
IRF100B202 Elektronické komponenty
IRF100B202 Odbyt
IRF100B202 Dodavatel
IRF100B202 Distributor
IRF100B202 Datová tabulka
IRF100B202 Fotky
IRF100B202 Cena
IRF100B202 Nabídka
IRF100B202 Nejnižší cena
IRF100B202 Vyhledávání
IRF100B202 Nákup
IRF100B202 Chip