IRF1010ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010ESTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35624 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010ESTRLPBF
IRF1010ESTRLPBF Elektronické komponenty
IRF1010ESTRLPBF Odbyt
IRF1010ESTRLPBF Dodavatel
IRF1010ESTRLPBF Distributor
IRF1010ESTRLPBF Datová tabulka
IRF1010ESTRLPBF Fotky
IRF1010ESTRLPBF Cena
IRF1010ESTRLPBF Nabídka
IRF1010ESTRLPBF Nejnižší cena
IRF1010ESTRLPBF Vyhledávání
IRF1010ESTRLPBF Nákup
IRF1010ESTRLPBF Chip