Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010EZS
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010EZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20398 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010EZS
IRF1010EZS Elektronické komponenty
IRF1010EZS Odbyt
IRF1010EZS Dodavatel
IRF1010EZS Distributor
IRF1010EZS Datová tabulka
IRF1010EZS Fotky
IRF1010EZS Cena
IRF1010EZS Nabídka
IRF1010EZS Nejnižší cena
IRF1010EZS Vyhledávání
IRF1010EZS Nákup
IRF1010EZS Chip