Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1902GPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Číslo dílu
IRF1902GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36259 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1902GPBF
IRF1902GPBF Elektronické komponenty
IRF1902GPBF Odbyt
IRF1902GPBF Dodavatel
IRF1902GPBF Distributor
IRF1902GPBF Datová tabulka
IRF1902GPBF Fotky
IRF1902GPBF Cena
IRF1902GPBF Nabídka
IRF1902GPBF Nejnižší cena
IRF1902GPBF Vyhledávání
IRF1902GPBF Nákup
IRF1902GPBF Chip