Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1902GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Číslo dílu
IRF1902GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11641 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1902GTRPBF
IRF1902GTRPBF Elektronické komponenty
IRF1902GTRPBF Odbyt
IRF1902GTRPBF Dodavatel
IRF1902GTRPBF Distributor
IRF1902GTRPBF Datová tabulka
IRF1902GTRPBF Fotky
IRF1902GTRPBF Cena
IRF1902GTRPBF Nabídka
IRF1902GTRPBF Nejnižší cena
IRF1902GTRPBF Vyhledávání
IRF1902GTRPBF Nákup
IRF1902GTRPBF Chip