IRF1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF1902TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42689 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1902TRPBF
IRF1902TRPBF Elektronické komponenty
IRF1902TRPBF Odbyt
IRF1902TRPBF Dodavatel
IRF1902TRPBF Distributor
IRF1902TRPBF Datová tabulka
IRF1902TRPBF Fotky
IRF1902TRPBF Cena
IRF1902TRPBF Nabídka
IRF1902TRPBF Nejnižší cena
IRF1902TRPBF Vyhledávání
IRF1902TRPBF Nákup
IRF1902TRPBF Chip