Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLB3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Číslo dílu
IRLB3036PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28811 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLB3036PBF
IRLB3036PBF Elektronické komponenty
IRLB3036PBF Odbyt
IRLB3036PBF Dodavatel
IRLB3036PBF Distributor
IRLB3036PBF Datová tabulka
IRLB3036PBF Fotky
IRLB3036PBF Cena
IRLB3036PBF Nabídka
IRLB3036PBF Nejnižší cena
IRLB3036PBF Vyhledávání
IRLB3036PBF Nákup
IRLB3036PBF Chip