Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
Číslo dílu
IRLB4132PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46743 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLB4132PBF
IRLB4132PBF Elektronické komponenty
IRLB4132PBF Odbyt
IRLB4132PBF Dodavatel
IRLB4132PBF Distributor
IRLB4132PBF Datová tabulka
IRLB4132PBF Fotky
IRLB4132PBF Cena
IRLB4132PBF Nabídka
IRLB4132PBF Nejnižší cena
IRLB4132PBF Vyhledávání
IRLB4132PBF Nákup
IRLB4132PBF Chip