Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
Číslo dílu
IRLB8314PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26445 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLB8314PBF
IRLB8314PBF Elektronické komponenty
IRLB8314PBF Odbyt
IRLB8314PBF Dodavatel
IRLB8314PBF Distributor
IRLB8314PBF Datová tabulka
IRLB8314PBF Fotky
IRLB8314PBF Cena
IRLB8314PBF Nabídka
IRLB8314PBF Nejnižší cena
IRLB8314PBF Vyhledávání
IRLB8314PBF Nákup
IRLB8314PBF Chip