Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLB3813PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
Číslo dílu
IRLB3813PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8420pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32358 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLB3813PBF
IRLB3813PBF Elektronické komponenty
IRLB3813PBF Odbyt
IRLB3813PBF Dodavatel
IRLB3813PBF Distributor
IRLB3813PBF Datová tabulka
IRLB3813PBF Fotky
IRLB3813PBF Cena
IRLB3813PBF Nabídka
IRLB3813PBF Nejnižší cena
IRLB3813PBF Vyhledávání
IRLB3813PBF Nákup
IRLB3813PBF Chip