onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NGTD17T65F2SWK IGBT 600V 40A FS2 Bare Die

NGTD17T65F2SWK

IGBT 600V 40A FS2 Bare Die
Číslo dílu
NGTD17T65F2SWK
Kategorie
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMD
Balení
bagged
Počet balíků
1
Popis
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 89412 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NGTD17T65F2SWK
NGTD17T65F2SWK Elektronické komponenty
NGTD17T65F2SWK Odbyt
NGTD17T65F2SWK Dodavatel
NGTD17T65F2SWK Distributor
NGTD17T65F2SWK Datová tabulka
NGTD17T65F2SWK Fotky
NGTD17T65F2SWK Cena
NGTD17T65F2SWK Nabídka
NGTD17T65F2SWK Nejnižší cena
NGTD17T65F2SWK Vyhledávání
NGTD17T65F2SWK Nákup
NGTD17T65F2SWK Chip