Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2080KEC
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Číslo dílu
SCT2080KEC
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
262W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4.4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37437 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2080KEC
SCT2080KEC Elektronické komponenty
SCT2080KEC Odbyt
SCT2080KEC Dodavatel
SCT2080KEC Distributor
SCT2080KEC Datová tabulka
SCT2080KEC Fotky
SCT2080KEC Cena
SCT2080KEC Nabídka
SCT2080KEC Nejnižší cena
SCT2080KEC Vyhledávání
SCT2080KEC Nákup
SCT2080KEC Chip